ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET 有助照明電源、泵浦、馬達(dá)等應(yīng)用小型化和薄型化！

半導(dǎo)體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出採用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，非常適用於照明用小型電源、泵浦和馬達(dá)等應(yīng)用。

 

 

近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達(dá)的性能提升，對在上述應(yīng)用中發(fā)揮開關(guān)作用的MOSFET小型化產(chǎn)品需求也日益高漲。通常對於Super Junction MOSFET而言，在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性的理想平衡同時，很難進(jìn)一步縮小體積。此次ROHM透過改進(jìn)內(nèi)建晶片形狀，在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下，開發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。

 

與以往TO-252封裝（6.60mm×10.00mm×2.30mm）產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助實(shí)現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外新產(chǎn)品還支援TO-252封裝電路板上的佈線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

 

5款新產(chǎn)品分別適用於小型電源和馬達(dá)應(yīng)用，各有不同的特點(diǎn)。適用於小型電源的有三款型號，「R6004END4」具有低雜訊的特點(diǎn)，適用於需要低雜訊的應(yīng)用；「R6003KND4」和「R6006KND4」具有高速開關(guān)的特點(diǎn)，適用於需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用；「R6002JND4」和「R6003JND4」採用ROHM獨(dú)家技術(shù)加快了反向恢復(fù)時間（trr*2），並大大降低了開關(guān)損耗，屬於“PrestoMOS”產(chǎn)品，非常適用於馬達(dá)應(yīng)用。此外為了加快上述產(chǎn)品的應(yīng)用，在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供電路設(shè)計(jì)所需的應(yīng)用指南和多種技術(shù)資料，以及模擬用的SPICE模型等資源。

 

新產(chǎn)品已於2023年11月開始暫以每月10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格400日元/個，未稅）。另外樣品也已開始透過電商平臺銷售。

 

今後ROHM將繼續(xù)開發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，不斷擴(kuò)大Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容，透過助力各種應(yīng)用設(shè)備降低功耗，對環(huán)保課題的解決有所貢獻(xiàn)。

 

＜產(chǎn)品陣容＞

小型電源用

 

馬達(dá)用

 

＜應(yīng)用範(fàn)例＞

?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空調(diào)、冰箱等

?R6002JND4 / R6003JND4：泵浦、風(fēng)扇、影印機(jī)等所使用的馬達(dá)

 

＜電商銷售資訊＞

開始銷售時間：2023年12月起

電商平臺：MOUSER、Digi-Key等

 

＜Super Junction MOSFET專頁＞

ROHM官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應(yīng)用指南，以及各種電路設(shè)計(jì)所需的資料。

https://www.rohm.com.tw/support/super-junction-mosfet

 

＜什麼是PrestoMOS＞

Presto表示「極快」，是源自於義大利文的音樂術(shù)語。

是ROHM獨(dú)家的功率MOSFET品牌，該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，還縮短了內(nèi)建二極體的反向恢復(fù)時間。由於可有效降低開關(guān)損耗因而越來越常被運(yùn)用於空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。

 

 

＜名詞解釋＞

*1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是電晶體的一種，根據(jù)元件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為平面MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與平面MOSFET相比，Super Junction MOSFET能夠同時實(shí)現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻，在處理大功率時損耗更小。

 

*2) trr：反向恢復(fù)時間（Reverse Recovery Time）

內(nèi)建二極體從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時間。該值越低，切換時的損耗越小。